上海某大學研究室在離子濺射制備類金剛石 Ta-C 涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 作為濺射源

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數(shù):

該實驗以 99.9% 純度 Ti 靶和純度石墨靶為原材料, 通過離子濺射技術在硬質(zhì)合金表面制備 Ta-C涂層.

研究結果:

石墨靶濺射時間 55min 時制備的 Ta-C涂層綜合性能較**, 涂層摩擦系數(shù)較低達到 0.13, 對膜副表面形成了石墨轉移膜, 對 Ta-C 涂層起到潤滑作用.

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