某微電子制造商采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積硅片金屬薄膜.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:
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離子源型號 |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
磁控濺射法制備鋁膜是微電子工藝制備金屬薄膜**常用的工藝之一, 然而在使用磁控濺射設備制備鋁膜時, 往往會發現調用同一個工藝菜單, 制備出的鋁膜厚度會有所不同, **大相差接近40%. 這對于制備高精度膜厚的鋁膜具有嚴重的影響.
KRI 離子源的**特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
因此, 為了提高硅片金屬薄膜的均勻性，該制造才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
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