某微電子制造商采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積硅片金屬薄膜.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量

磁控濺射法制備鋁膜是微電子工藝制備金屬薄膜**常用的工藝之一, 然而在使用磁控濺射設(shè)備制備鋁膜時(shí), 往往會(huì)發(fā)現(xiàn)調(diào)用同一個(gè)工藝菜單, 制備出的鋁膜厚度會(huì)有所不同, **大相差接近40%. 這對(duì)于制備高精度膜厚的鋁膜具有嚴(yán)重的影響.

KRI 離子源的**特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

因此, 為了提高硅片金屬薄膜的均勻性，該制造才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀,  質(zhì)譜儀,  真空計(jì),  美國(guó) KRI 考夫曼離子源,  美國(guó)HVA 真空閥門,  美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī),  美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品**的指定代理商.

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