北京某研究院采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積制備碳薄膜, 同時(shí)在室溫和無催化層襯底的條件下, 探究離子束能量和沉積時(shí)間對(duì)碳納米薄膜成膜的影響.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):
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離子源型號(hào)
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RFICP220
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Discharge
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RFICP 射頻
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離子束流
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>800 mA
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離子動(dòng)能
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100-1200 V
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柵極直徑
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20 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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10-40 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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長度
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30 cm
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直徑
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41 cm
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中和器
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LFN 2000
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* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
該濺射沉積是在氣壓為 1.33×10-4Pa 和襯底溫度為室溫條件下,利用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射石墨, 在無催化層的硅(Si)襯底上加工碳納米薄膜.
通過拉曼光譜對(duì)碳納米薄膜表面物質(zhì)的組成進(jìn)行了分析; 利用掃描電鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)來顯示薄膜的表面結(jié)構(gòu); 實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示, 輻照時(shí)間對(duì) ID/IG 的比值以及碳晶粒的大小都有顯著的影響, 并且高離子束能量能夠促進(jìn)碳晶粒的結(jié)晶. 同時(shí), 在高能量的離子束下沉積碳納米薄膜, 在 Si 表面發(fā)現(xiàn)了特殊圖案的碳納米結(jié)構(gòu): 雪花狀, 方塊狀及四角星狀.
KRI 離子源的**特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.
因此，該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
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