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        KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 制備NGZO薄膜

        起訂量: 面議
        價 格: 面議
        品牌: KRI
        供貨總量: 面議
        發貨期限: 自買家付款之日起 3 天內發貨
        所在地: 上海
        有效期至: 長期有效
        最后更新: 2023-07-12 11:24
        關注人數: 1298
        公司基本資料信息
        伯東企業(上海)有限公司
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        地區上海
        地址上海市外高橋保稅區希雅路33號17號樓B座3層,200131
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          KRI
        • 發貨期限:
          自買家付款之日起 3 天內發貨
        • 所在地:
          上海

        上海某大學實驗室采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 通入氬氣和氮氣, 在流量比分別為 25/1025/2025/2525/30 ((mL/min)/(mL/min))條件下制備 NGZO 薄膜.

         

        伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數:

        型號

        RFICP140

        Discharge

        RFICP 射頻

        離子束流

        >600 mA

        離子動能

        100-1200 V

        柵極直徑

        14 cm Φ

        離子束

        聚焦平行散射

        流量

        5-30 sccm

        通氣

        Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

        典型壓力

        < 0.5m Torr

        長度

        24.6 cm

        直徑

        24.6 cm

        中和器

        LFN 2000

         

        實驗室通過 XRD  SEM 對薄膜的物相結構和表面形貌進行分析,通過紫外可見分光光度計和霍爾效應測試儀對薄膜透過率和載流

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