云南某實驗室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  射頻磁控濺射沉積方法在不同溫度的 Si（100）襯底和石英襯底上制備了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子點 SiN 薄膜的光譜特性. 該實驗目的是**化含硅量子點的 SiNx 薄膜的制備參數, 在硅基光電子器件的應用方面有重要意義.
 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

實驗室采用 Fourier 變換紅外光譜、Raman 光譜、掠入射 X 射線衍射和光致發光光譜對退火后的薄膜樣品進行了表征.

KRI 離子源的**特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

因此,  該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品**的指定代理商.

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