云南某實驗室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 射頻磁控濺射沉積方法在不同溫度的 Si（100）襯底和石英襯底上制備了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子點 SiN 薄膜的光譜特性. 該實驗目的是**化含硅量子點的 SiNx 薄膜的制備參數, 在硅基光電子器件的應用方面有重要意義.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:
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離子源型號 |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
實驗室采用 Fourier 變換紅外光譜、Raman 光譜、掠入射 X 射線衍射和光致發光光譜對退火后的薄膜樣品進行了表征.
KRI 離子源的**特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
因此, 該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
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