立方氮化硼（cBN）由于具有高超的硬度/ 好的化學惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導率/ 在寬波長范圍內(nèi)(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導體等特點, 在切削工具/ 耐磨材料/ 光學元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和**緣涂覆層等方面具有很大的應用潛力.

在對立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助濺射沉積立方氮化硼 (cBN) 薄膜.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數(shù):

該實驗中, 采用的是射頻濺射沉積的方法, 沉積基片為硅片, 熱壓的 hBN 作為靶材, 濺射氣體為 Ar 和N₂ 的混合氣體.

磁控濺射是物理氣相沉積技術中一種手段比較豐富的方法, 可以通過控制調(diào)節(jié)鍍膜參數(shù), 得到更加致密, 均勻, 結(jié)合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬于干法鍍膜, 不存在電鍍化學鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問題, 從環(huán)境保護的角度來看, 磁控濺射較電鍍化學鍍更加綠色環(huán)保.

實驗結(jié)果:

采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助濺射沉積立方氮化硼 (cBN) 薄膜時, 具有沉積的膜層顆粒尺寸小/ 薄膜中立方含量高/ 工藝可控性好等特點.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品**的指定代理商.

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