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        美國 KRi 離子源常見工藝應用

        起訂量: 面議
        價 格: 面議
        品牌: KRI
        供貨總量: 面議
        發貨期限: 自買家付款之日起 3 天內發貨
        所在地: 上海
        有效期至: 長期有效
        最后更新: 2023-04-27 09:39
        關注人數: 1237
        公司基本資料信息
        伯東企業(上海)有限公司
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        地區上海
        地址上海市外高橋保稅區希雅路33號17號樓B座3層,200131
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          KRI
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        KRi 離子源常見工藝應用
        通過使用上海伯東美國 KRi 離子源可以對材料進行加工, 真空環境下, 實現沉積薄膜, 干式蝕刻和材料表面改性等工藝.
        KRI離子源

        KRi 離子源常見工藝應用

        工藝應用

        簡稱

        In-situ substrate preclean 預清潔

        PC

        Ion-beam modification of material and surface properties
        材料和表面改性

        IBSM

        - Surface polishing or smoothing 表面拋光

         

        - Surface nanostructures and texturing
        表面納米結構和紋理

         

        - Ion figuring and enhancement 離子計算和增強

         

        - Ion trimming and tuning 離子修整和調諧

         

        - Surface-activated bonding 表面激活鍵合

        SAB

        Ion-beam-assisted deposition 輔助鍍膜

        IBAD

        Ion-beam etching 離子蝕刻

        IBE

        - Reactive ion-beam etching 活性離子束蝕刻

        RIBE

        - Chemically assisted ion-beam etching 化學輔助離子束蝕刻

        CAIBE

        Ion-beam sputter deposition 離子濺射

        IBSD

        - Reactive ion-beam sputter deposition 反應離子濺射

        RIBSD

        - Biased target ion-beam sputter deposition
        偏壓靶離子束濺射

        BTIBSD

        Direct deposition 直接沉積

        DD

        - Hard and functional coatings
        硬質和功能性涂料

         


        KRI離子源 

        1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等**域, 上海伯東是美國 KRi考夫曼公司離子源中國總代理.

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        上海伯東: 羅**生                               臺灣伯東: 王女士
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