小型磁控射頻濺射鍍膜儀是一款小型臺式單靶等離子濺射儀(射頻磁控型)，配有1英寸的磁控等離子濺射頭和射頻（RF）等離子電源，此款設備主要用于制作非導電薄膜，特別是一些氧化物薄膜。對于新型非導電薄膜的探索，它是一款廉價并且高效的實驗幫手。  
我們用此設備得到擇**取向的ZnO薄膜  
技術參數  
輸入電源  
220VAC50/60Hz,單相  
800W(包括真空泵）  
等離子源  
一個100W，13.5MHz的射頻電源安裝在移動柜內  
配有一13.5MHz,100W的射頻電源（采用手動匹配）  
可選配300W射頻電源（自動匹配）  
注意：100W手動調節的RF（射頻）電源價格較低，但是每一次對于不同的靶材，都需要手動設置參數才能產生等離子體，比較耗費時間。300W自動匹配的RF（射頻）電源，價格較昂貴，但比較節約時間。  
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磁控濺射頭  
一個1英寸磁控濺射頭（帶有水冷夾層），采用快速接頭與真空腔體相連接  
靶材尺寸:直徑為25.4mm,zui大厚度3mm  
一個快速擋板安裝在法蘭上（手動操作，見圖左3）  
濺射頭所需冷卻水：流速10ml/min（儀器中配有一臺流速為16ml/min的循環水冷機）  
同時可選配2英寸濺射頭  
選配2英寸濺射頭靶材尺寸：直徑為50.8mm，zui大厚度6mm  
真空腔體  
真空腔體：160mmODx150mmIDx250mmH，采用高純石英制作  
密封法蘭:直徑為165mm.采用金屬鋁制作，采用硅膠密封圈密封  
一個不銹鋼網罩住整個石英腔體，以屏蔽等離子體  
真空度：<1.0*10-2Torr（采用雙極旋片真空泵）  
<5*10-5torr（采渦旋分子泵）  
載樣臺  
載樣臺可旋轉（為了制膜更加均勻）并可加熱  
載樣臺尺寸：直徑50mm（zui大可放置2英寸的基片）  
旋轉速度：1-20rpm  
樣品臺的zui高加熱溫度為700℃(短期使用，恒溫不超過1小時)，長期使用溫度500℃  
控溫精度+/-10℃
本產品信息由中美合資合肥科晶材料技術有限公司整理發布，更多關于小型磁控射頻濺射鍍膜儀的信息請訪問：
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